U盘是怎么存住数据的

〔原理〕 经典物理学认为，物体越过势垒，有一阈值能量；粒子能量小于此能量则不能越过，大于此能量则可以越过。例如骑自行车过小坡，先用力骑，如果坡很低，不蹬自行车也能靠惯性过去。如果坡很高，不蹬自行车，车到一半就停住，然后退回去。 量子力学则认为，即使粒子能量小于阈值能量，很多粒子冲向势垒，一部分粒子反弹，还会有一些粒子能过去，好象有一个遂道，称作“量子遂道（quantum tunneling）”。 可见，宏观上的确认性在微观上往往就具有不确认性。虽然在通常的情况下，遂道效应并不影响经典的宏观效应，因为隧穿几率极小，但在某些特丁的条件下宏观的遂道效应也会出现。FLASH闪存 闪存的英语名称是Flash Memory，一般简称为Flash，它属于内存器件的一种。 不过闪存的物理特性与常见的内存有根本性的差异： 目前各类 DDR 、 SDRAM 或者 RDRAM 都属于挥发性内存，只要停止电流供应内存中的数据便没法保持，因此每次电脑开机都需要把数据重新载入内存； 闪存则是一种不挥发性（ Non-Volatile ）内存，在没有电流供应的条件下也能够长久地保持数据，其储存特性相当于硬盘，这项特性正是闪存得以成为各类便携型数字设备的储存介质的基础。 NAND 闪存的储存单元则采用串行结构，储存单元的读写是以页和块为单位来进行（一页包括若干字节，若干页则组成储存块， NAND 的储存块大小为 8 到 32KB ），这种结构最大的优点在于容量可以做得很大，超过 512MB 容量的 NAND 产品相当普遍， NAND 闪存的成本较低，有利于大规模普及。 NAND 闪存的缺点在于读速度较慢，它的 I/O 端口只有 8 个，比 NOR 要少多了。这区区 8 个 I/O 端口只能以信号轮流传送的方式完成数据的传送，速度要比 NOR 闪存的并行传输模式慢得多。再加上 NAND 闪存的逻辑为电子盘模块结构，内部不存在专门的储存控制器，一旦出现数据坏块将没法修，可靠性较 NOR 闪存要差。 NAND 闪存被广泛用于移动储存、数码相机、 MP3 播放器、掌上电脑等新兴数字设备中。由于受到数码设备强劲发展的带动， NAND 闪存一直呈现指数级的超高速增长. NOR和NAND是现在市场上两种主要的非易失闪存技术。英特尔于1988年首先开发出NOR flash技术彻底改变了原先由EPROM和EEPROM一统天下的局面。紧接着1989年东芝公司发表了NAND flash结构强调降低每比特的成本更高的性能并且象磁盘一样可以通过接口轻松升级。但是经过了十多年之后仍然有相当多的硬件工程师分不清NOR和NAND闪存。 相“flash储存器”常常可以与相“NOR储存器”互换使用。许多业内人士也搞不清楚NAND闪存技术相对于NOR技术的优越之处因为大多数情况下闪存只是用来储存少量的代码这时NOR闪存更适合一些。而NAND则是高等 数学据储存密度的理想解决方案。 NOR的特点是芯片内执行XIP eXecute In Place这样应用程序可以直接在flash闪存内运行不必再把代码读到系统RAM中。NOR的传输效率很高在1～4MB的小容量时具有很高的成本效益但是很低的写入和擦除速度大大影响了它的性能。 NAND结构能提供极高的单元密度可以达到高储存密度并且写入和擦除的速度也很快。应用NAND的困难在于flash的管理和需要特殊的系统接口。