SAMSUNG/三星 GALAXY S4背照式CMOS原理解析

更新时间：2016-05-31本文内容转载自互联网

相信对于背照式CMOS，稍微了解一些摄影知识的朋友都很明了。在传统CMOS感光元件中，感光二极管位于电路晶体管的后方，进光量会因遮挡受到一定影响。而在背照式CMOS中，入射光首先进入感光二极管，相对于传统CMOS而言进光量得到了提高，因而能显著提高低光照条件下的拍摄效果。